Transistors. Page 108 sur 114. Avtronic

Transistor STP10NK80Z

6.94€ TTC

25 En stock

Transistor STP10NK80Z N-MOS+Z 800V 9A/36Ap 160W 0.78R(6A). SuperMESHPower MOSFET. Zéner Protect. td(on)30nS. td(off)65nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP10NK80ZFP

11.09€ TTC

229 En stock

Transistor STP10NK80ZFP N-MOS+Z 800V 9A/36Ap 40W 0.78R(6A*). SuperMESH Power MOSFET. Zéner Protect. td(on)30nS. td(off)65nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A

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Tarifs dégressifs

Transistor STP11NB40FP

5.15€ TTC

1 En stock

Transistor STP11NB40FP N-MOS 400V 6.5A 35W <0.55R. (F). MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP Isolé. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 35 W

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Tarifs dégressifs

Transistor STP11NM60

12.04€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 11A. Puissance: 160W. Résistance Rds: 0.4 Ohms. Boîtier: TO220.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP11NM60FP

11.37€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP11NM60FP N-MOS 600V 11A/44Ap. 35W 0.4R (7A). MDmesh POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP Isolé. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7 A. Rds (Ohms): 0.4.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP11NM60ND

9.91€ TTC

64 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 10A. Puissance: 90W. Résistance Rds: 0.37 Ohms. Boîtier: TO220.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STP11NM80

15.46€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP11NM80 N-MOS 800V 11A/44Ap. 150W 0.35R(4.7A). MDmesh MOSFET. ID puls: 44A. TYPICAL RDS(on) 0.35ohm. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.7 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP120NF10

8.57€ TTC

62 En stock

Transistor MOSFET canal N 100V 77A/440Ap. 312W 0.009R (77A). Constructeur: STMicroelectronics. Marquage boîtier: P120NF10. Boîtier: TO220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 110A. Puissance: 312 W. Id(T:100): 77A. Id(imp): 440 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) m

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Tarifs dégressifs

Transistor STP12NM50

11.03€ TTC

47 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 550V 12A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 550V. Id(@25ºC): 12A. Puissance: 160W. Résistance Rds: 0.3 Ohms. MDmesh Power MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP12NM50FP

10.14€ TTC

23 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 550V 12A. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 550V. Id(@25ºC): 12A. Puissance: 35W. Résistance Rds: 0.3 Ohms. MDmesh Power MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP13NM60N

9.74€ TTC

39 En stock

Transistor STP13NM60N N-MOS 600V 11A/44Ap. 90W 0.28R (6.93A). MDmesh II Power MOSFET. ID puls:44A. Low input capacitance and gate charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP14NF12

3.42€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP14NF12 N-MOS 120V 14A/56Ap. 60W 0.16R(9A). STripFETII POWER MOSFET. Low Gate Charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 120 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9 A. Rds (Ohms): 0.16.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP14NF12FP

4.48€ TTC

2 En stock

Transistor STP14NF12FP N-MOS 120V 8.5A/34Ap. 25W 0.16R(6A). STripFETII POWER MOSFET. Low Gate Charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 120 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.16

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Tarifs dégressifs

Transistor STP14NK50ZFP

9.46€ TTC

79 En stock

Transistor MOSFET canal N+Z 500V 14A/48Ap 35W 0.34R (7.6A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STP16NE06

3.53€ TTC

13 En stock

Transistor STP16NE06 N-MOS 60V 16A/64Ap. 60W 0.08R (10A). STripFETPOWER MOSFET. ID puls: 64A. Low gate charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP16NF06FP

4.54€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP16NF06FP N-MOS 60V 11A/44Ap. 25W 0.08R(7.5A). STripFETII POWER MOSFET. ID puls: 44A. Low gate charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.5 A

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Tarifs dégressifs

Transistor STP16NF06L

2.69€ TTC

71 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 11A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 11A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.08 Ohms. STripFET II POWER MOSFET.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP200N4F3

20.27€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N 40V 120A/480Ap 300W 0.003R. Constructeur: STMicroelectronics. Marquage boîtier: 200N4F3. Boîtier: TO220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 120A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 120A. Id(imp): 480 Ap. Idss (min): 10 uA. Idss (max): 100 uA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Rds(on): 3 mOhm

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Tarifs dégressifs

Transistor STP20NF06L

3.81€ TTC

72 En stock

Transistor STP20NF06L N-MOS 60V 20A 60W<0.06R(14A). II Power Mos. HIGHdv/dtCAP. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220 LowGataCharg. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.06.

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Tarifs dégressifs

Transistor STP20NM60

12.82€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP20NM60 N-MOS 600V 20A/80Ap 192W 0.07R (14A). MDmesh Power MOSFET. ID puls: 80A. HIGH dv/dt. Constructeur: ST. Low Gata Capac. & Low Input Charge. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STP20NM60FD

13.44€ TTC

23 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 20A/80Ap 192W. Résistance passante RDSon : 0.26 Ohms (12.6A)

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor STP10NK80Z

Transistor STP10NK80Z N-MOS+Z 800V 9A/36Ap 160W 0.78R(6A). SuperMESHPower MOSFET. Zéner Protect. td(on)30nS. td(off)65nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A.

Transistor STP10NK80ZFP

Transistor STP10NK80ZFP N-MOS+Z 800V 9A*/36Ap* 40W 0.78R(6A*). SuperMESH Power MOSFET. Zéner Protect. td(on)30nS. td(off)65nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A

Transistor STP11NB40FP

Transistor STP11NB40FP N-MOS 400V 6.5A 35W <0.55R. (F). MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP Isolé. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.5 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 35 W

Transistor STP11NM60

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 11A. Puissance: 160W. Résistance Rds: 0.4 Ohms. Boîtier: TO220.

Transistor STP11NM60FP

Transistor STP11NM60FP N-MOS 600V 11A/44Ap. 35W 0.4R (7A). MDmesh POWER MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP Isolé. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7 A. Rds (Ohms): 0.4.

Transistor STP11NM60ND

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 600V 10A. Puissance: 90W. Résistance Rds: 0.37 Ohms. Boîtier: TO220.

Transistor STP11NM80

Transistor STP11NM80 N-MOS 800V 11A/44Ap. 150W 0.35R(4.7A). MDmesh MOSFET. ID puls: 44A. TYPICAL RDS(on) 0.35ohm. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.7 A.

Transistor STP120NF10

Transistor STP12NM50

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 550V 12A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 550V. Id(@25ºC): 12A. Puissance: 160W. Résistance Rds: 0.3 Ohms. MDmesh Power MOSFET.

Transistor STP12NM50FP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 550V 12A. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 550V. Id(@25ºC): 12A. Puissance: 35W. Résistance Rds: 0.3 Ohms. MDmesh Power MOSFET.

Transistor STP13NM60N

Transistor STP13NM60N N-MOS 600V 11A/44Ap. 90W 0.28R (6.93A). MDmesh II Power MOSFET. ID puls:44A. Low input capacitance and gate charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A.

Transistor STP14NF12

Transistor STP14NF12 N-MOS 120V 14A/56Ap. 60W 0.16R(9A). STripFETII POWER MOSFET. Low Gate Charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 120 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9 A. Rds (Ohms): 0.16.

Transistor STP14NF12FP

Transistor STP14NF12FP N-MOS 120V 8.5A/34Ap. 25W 0.16R(6A). STripFETII POWER MOSFET. Low Gate Charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 120 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.16

Transistor STP14NK50ZFP

Transistor MOSFET canal N+Z 500V 14A/48Ap 35W 0.34R (7.6A)

Transistor STP16NE06

Transistor STP16NE06 N-MOS 60V 16A/64Ap. 60W 0.08R (10A). STripFETPOWER MOSFET. ID puls: 64A. Low gate charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10 A.

Transistor STP16NF06FP

Transistor STP16NF06FP N-MOS 60V 11A/44Ap. 25W 0.08R(7.5A). STripFETII POWER MOSFET. ID puls: 44A. Low gate charge. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 11 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 7.5 A

Transistor STP16NF06L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 11A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 11A. Puissance: 25W. Résistance Rds: 0.08 Ohms. STripFET II POWER MOSFET.

Transistor STP200N4F3

Transistor STP20NF06L

Transistor STP20NF06L N-MOS 60V 20A 60W<0.06R(14A). II Power Mos. HIGHdv/dtCAP. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220 LowGataCharg. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 14 A. Rds (Ohms): 0.06.

Transistor STP20NM60

Transistor STP20NM60 N-MOS 600V 20A/80Ap 192W 0.07R (14A). MDmesh Power MOSFET. ID puls: 80A. HIGH dv/dt. Constructeur: ST. Low Gata Capac. & Low Input Charge. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Transistor MOSFET canal-N STP20NM60FD

Transistor MOSFET canal-N 600V 20A/80Ap 192W. Résistance passante RDSon : 0.26 Ohms (12.6A)

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